El corrent elèctric en els semiconductors

El corrent elèctric en els semiconductors - es dirigeix el moviment de buits i electrons, que són influenciats pel camp elèctric.

Com a resultat dels experiments, es va observar que el corrent elèctric en els semiconductors no va acompanyada de la transferència de la matèria - no impliquen cap canvi químic. Per tant, els portadors, els electrons poden ser considerats en els semiconductors.

La capacitat del material per formar-hi un corrent elèctric pot ser determinat per la conductivitat específica. Per aquest indicador conductors ocupen una posició intermèdia entre els conductors i aïllants. Semiconductors - aquests són els diferents tipus de minerals, certs metalls, sulfurs de metalls, etc. El corrent elèctric en els semiconductors sorgeix de la concentració d'electrons lliures que poden moure direccionalment en una substància. La comparació dels metalls i els conductors, es pot observar que hi ha una diferència entre la influència de la temperatura en el seu conductivitat. Un augment de la temperatura condueix a una disminució de la conductivitat dels metalls. En els semiconductors la velocitat de conducció augmenta. Si un augment de temperatura dels semiconductors, el moviment dels electrons lliures serà més erràtic. Això es deu a un augment en el nombre de col·lisions. No obstant això, en els semiconductors, en comparació amb els metalls, que s'augmenta substancialment la densitat de visualització d'electrons lliures. Aquests factors tenen l'efecte oposat en la conductivitat: els més col·lisions, menor és la conductivitat, major és la concentració, més gran és que és. En els metalls, no hi ha dependència entre la temperatura i la concentració d'electrons lliures, de manera que un canvi en la conductivitat en augmentar la temperatura només disminueix la possibilitat d'un moviment ordenat d'electrons lliures. Quant als semiconductors, l'efecte de l'exhibició d'augmentar la concentració més alta. Per tant, l'augment de temperatura serà més gran, més gran és la conductivitat.

Hi ha una relació entre el moviment de portadors de càrrega i un terme tal com corrent elèctric en els semiconductors. En els semiconductors, els portadors de càrrega que es caracteritzen per l'aparició de diversos factors, entre els quals són la temperatura crítica i la puresa del material. semiconductors de puresa es divideixen en extrínseca i pròpia.

Quant al seu propi conductor, l'efecte de les impureses a una certa temperatura pot no ser essencial per a ells. Ja que l'interval de banda dels semiconductors és baixa, en un semiconductor intrínsec, quan la temperatura arriba el zero absolut, hi ha un ompliment complet dels electrons de valència. Però la banda de conducció és completament lliure: no hi ha conductivitat elèctrica, i funciona com un aïllant ideal. En altres temperatures, hi ha una possibilitat que les fluctuacions tèrmiques dels electrons específics poden superar la barrera de potencial i apareixen a la banda de conducció.

efecte Thomson

El principi d'efecte Thomson termoelèctric quan un corrent elèctric en els semiconductors, al llarg de la qual hi ha un gradient de temperatura a ells, excepte l'alliberament de calor Joule o absorció de quantitats addicionals de calor es produirà en funció de la direcció en què el flux de corrent.

uniforme insuficient espècimen calefacció, que té una estructura homogènia afecta les seves propietats, de manera que el material es torna no uniforme. Per tant, l'efecte Thomson és un fenomen específic Peltier. L'única diferència és que les diverses composició no química de la mostra, i la temperatura de l'originalitat és aquesta heterogeneïtat.